फ्लैश मेमोरी तेज़ है लेकिन अधिक विश्वसनीय नहीं है

कल, इंटेल और माइक्रोन ने 20-एनएम प्रक्रिया प्रौद्योगिकी का उपयोग करके दुनिया के पहले 128-Gbit डुअल-बिट (MLC) फ्लैश मेमोरी चिप्स के बड़े पैमाने पर उत्पादन की शुरुआत की घोषणा की।

128 गीगाबाइट फॉर्म फैक्टर में 128 जीबी चिप्स आठ के मॉड्यूल में बेचे जाएंगे। 2012 की दूसरी छमाही में फ्लैश कार्ड बिक्री पर दिखाई देंगे, और एसएसडी डिस्क आठ और सोलह मॉड्यूल (1-2 टीबी) - 2013 की शुरुआत में कहीं।

हालांकि 128-गीगाबिट चिप्स का उत्पादन पहले किया गया है, 20 एनएम की नई प्रक्रिया प्रौद्योगिकी में संक्रमण का मतलब है कम कीमत, अधिक कॉम्पैक्ट आकार और कम बिजली की खपत। विशेष रूप से, ऐसे फ्लैश मॉड्यूल 25 एनएम प्रक्रिया प्रौद्योगिकी का उपयोग करके निर्मित बाजार पर वर्तमान में उपलब्ध एक ही क्षमता के मॉड्यूल की तुलना में आकार में 30% छोटे होते हैं।



लेकिन सबसे महत्वपूर्ण बात यह है कि नए फ़्लैश कार्ड ONFI 3.0 मानक और बस को 333 मिलियन प्रति सेकंड (MT / s) की आवृत्ति पर समर्थन करेंगे। यह प्रदर्शन SSDs के लिए विशेष रूप से महत्वपूर्ण है, क्योंकि वहां "अड़चन" अक्सर SSD नियंत्रक और फ्लैश मेमोरी के बीच का इंटरफ़ेस होता है, और अब यह इंटरफ़ेस बढ़ सकता है, उदाहरण के लिए, सबसे तेज़ SSDs की तुलना में अनुक्रमिक रीड स्पीड बिल्कुल दो बार। -डिस्क (प्रक्रिया प्रौद्योगिकी द्वारा निर्मित 25 एनएम आवृत्ति 166 एमटी / एस है)।

सच है, आनंदटेक के विशेषज्ञ निराश हैं कि मेमोरी पेज का आकार 8 केबी से 16 केबी तक बढ़ने के कारण, नए नियंत्रक विकसित करने होंगे, इसलिए हम तेजी से एसएसडी डिस्क को जल्द ही नहीं देखेंगे, शायद 2013 से पहले नहीं।

यह दिलचस्प है कि 64 Gbit (20 एनएम) के नंद मॉड्यूल पर फ्लैश कार्ड अभी तक बिक्री पर दिखाई नहीं दिए हैं, उन्हें अप्रैल में घोषित किया गया था और केवल जनवरी 2012 में बनाया जाएगा। लेकिन वे पुराने ONFI 2.x बस (200 MT / s) पर होंगे।

दुर्भाग्य से, एक नई प्रक्रिया प्रौद्योगिकी के लिए संक्रमण के साथ, फ्लैश मेमोरी की विश्वसनीयता लगभग उसी स्तर पर रहती है: प्रत्येक कोशिका के बारे में 3000-5000 चक्र लिखें। लेकिन उत्पादन के लघुकरण के साथ, फ्लैश ड्राइव की कीमतें जल्द ही प्रति गीगाबाइट डॉलर से नीचे गिर जाएंगी।