सिद्धांत के साथ (1) (2) समाप्त - यह अभ्यास पर आगे बढ़ने का समय है। यह लेख रूस (और बेलारूस) में माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक कारखानों के बारे में मौजूद है और वे क्या कर सकते हैं, साथ ही खुद माइक्रोचिप्स के सबसे बड़े डेवलपर्स के बारे में और वे किस काम के परिणाम हासिल करने में कामयाब रहे।

कट के तहत प्लास्टिक इलेक्ट्रॉनिक्स के बारे में एक नाटकीय कहानी है, रूसी "मानवीय सहायता" जो कई एएमडी कंपनियों और मेट्रो टिकटों से परिचित है।

अच्छी तरह से इसके अलावा - संयुक्त राज्य अमेरिका और चीन की तुलना में पिछले 22 वर्षों में रूसी माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक की स्थिति कैसे बदल गई है, यह दिखाने वाला ग्राफ।

माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक की तुलनात्मक स्थिति का ग्राफ

तकनीकी अंतराल / लाभ की संख्या "आशावादी रूप से" बनाई जाती है: संयुक्त राज्य अमेरिका / चीन में निम्नलिखित प्रौद्योगिकी कितने वर्षों के लिए है। उदाहरण के लिए, हमारे पास 2012 से 90nm है - 2006 के बाद से यूएसए में निम्नलिखित तकनीक (65nm) है, क्रमशः 2012-2006 + 1 = 7 वर्ष।

ब्लू ग्राफ - यूएसए, रेड - चीन।

जैसा कि मैंने पिछले लेखों में लिखा था - आईफ़ोन की माँग को पूरा करने की दौड़ में, आप पैसा नहीं कमा सकते (यदि आप नेता नहीं हैं), तो वर्तमान स्थिति में कुछ भी नाटकीय नहीं है क्योंकि उद्योग महत्वपूर्ण उत्पादों का उत्पादन कर सकता है (और 90nm औद्योगिक और सैन्य के लिए पर्याप्त से अधिक है) / अंतरिक्ष इलेक्ट्रॉनिक्स)।

लेकिन चीन के तकनीकी रूप से पिछड़े देश पर विचार करने से हमें रोकने का समय आ गया है: वास्तव में, वे कई वर्षों से माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक में हमसे आगे हैं। फिलहाल, उन्होंने 45nm का प्रोडक्शन लॉन्च किया है और उनके पास 32nm का लाइसेंस है।

माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उत्पादन

सीट्रॉनिक्स - माइक्रोन

2010 तक, मैक्रोन ने सोवियत समय से बचे उपकरणों पर अधिकांश भाग के बारे में-माइक्रोन मानकों पर काम किया।

2006 में, 200 मिमी व्यास प्लेटों पर एल्यूमीनियम धातुकरण के साथ 180nm मानकों (CMOS + EEPROM) के साथ उत्पादन के लिए प्रौद्योगिकी और उपकरण STMicroelectronics से खरीदे गए थे। फिर, इस उपकरण के आधार पर, SiGe प्रौद्योगिकियों (रेडियो आवृत्ति अनुप्रयोगों के लिए आवश्यक - ग्लोनास, राडार, आदि) और SOI (विकिरण-प्रतिरोधी माइक्रोक्रेसीट्स के लिए) विकसित किए गए (या खरीदे गए - कोई डेटा नहीं है)। उत्पादन की मात्रा प्रति माह 1,500 प्लेट्स है।

हालांकि, 2007 के अंत में, रिबन को पूरी तरह से काट दिया गया था, 2010 में पहली परीक्षण प्लेटें थीं। इस तरह के शुरुआती "रिबन काटने" केवल कर अनुकूलन का मामला है।

ऐसी खबरें थीं कि माइक्रोन मेट्रो टिकटों के लिए RFID चिप्स बना रहा है - हालांकि, पिछले छमाही में 30 मेट्रो टिकट खोले गए, उन्होंने केवल NXP चिप्स पाए। इसी तरह का परिणाम अगस्त 2009 में चिपवर्क्स में भी पहुंचा था। हालांकि, मुझे यहां कोई नाटक नहीं दिखता है, यह मेट्रो के लिए नहीं था कि वे इस उत्पादन को खरीदे। माइक्रोन में ही, इस विषय पर मेरे प्रश्न अनुत्तरित रह गए थे। हालांकि, एक व्यक्ति 1.5 साल पहले मिक्रोन चिप देखने के लिए भाग्यशाली लगता है।

अब प्रत्येक मेट्रो टिकट के अंदर क्या है: (आकार - 0.6x0.6 मिमी)


फिर, उसी STMicroelectronics से, तांबा धातुकरण के साथ 90nm तकनीक का अधिग्रहण किया गया था, जिसमें प्रति माह 3000 प्लेटों की उत्पादन क्षमता में वृद्धि के साथ अतिरिक्त उपकरण (मुख्य रूप से स्कैनर) की आवश्यकता होती है:

ASML PAS 5500 / 750F 248nm / 0.7 120 प्लेट प्रति घंटा
ASML PAS / 1150C 193nm / 0.75 135 प्लेट प्रति घंटा (रूस का पहला स्कैनर 193 मीटर की तरंग दैर्ध्य पर)

रसनानो द्वारा वित्तपोषित। सितंबर 2012 में, उन्होंने 90nm उत्पादों की बिक्री की शुरुआत की घोषणा की। इस प्रकार, वर्तमान में, साइट्रोन-माइक्रोन का रूस में सबसे आधुनिक और बहुमुखी अर्धचालक उत्पादन है, इसके लिए विश्व मानकों द्वारा बहुत मामूली पैसा खर्च किया गया है।

मिक्रॉन का एक छोटा भाई है - VZPP-Mikron, वोरोनिश में - वे वहां असतत तत्व बनाते हैं, और माइक्रोन मानकों के आधार पर माइक्रोक्रिस्केट।

NIISI RAS

या जैसा कि यह भी कहा जाता है - "कुरचत्निक"। एक सुपर-स्मॉल-स्केल प्रोडक्शन है, स्टेपर - एएसएमएल पीएएस 5500 / 250C जिसका रिज़ॉल्यूशन 350nm है। उत्पादन की मात्रा प्रति दिन कुछ प्लेटें हैं। वे केवल सैन्य उत्पादों में लगे हुए हैं, कुर्त्चनिक में ज्ञात, विकसित और निर्मित - कॉमडिव -64 ।

अविभाज्य

लंबे समय तक, बेलारूसी इंटीग्रल के पास 800nm ​​तकनीक थी, लेकिन कई साल पहले यह अंत में 200 मिमी प्लेटों पर 350nm उत्पादन शुरू करने में सक्षम था, प्रति माह 1000 प्लेटों के उत्पादन की मात्रा के साथ। 350nm लाइन के लिए 200 मिमी के व्यास के साथ "साफ" प्लेटों का उत्पादन भी होता है।

नई लाइन पर - वे केवल सैन्य माइक्रोक्रिस्केट्स में लगे हुए लगते हैं, लेकिन पुराने विशाल उत्पादन (150 मिमी / 800 एनएम - 10 हजार वर्ग मीटर / महीने, 100 मिमी / 1.5μm - 30 हजार वर्ग मीटर / 100 मिमी / 2μm - 15 हजार वर्ग मीटर / महीने) में वे असतत घटकों का उत्पादन करते हैं। और निर्यात के लिए सरल चिप्स।

एंगस्ट्रॉम ("पुराना")

पुराने एंगस्ट्रॉम पर - 150 मिमी (8 हजार प्लेट प्रति माह) और 100 मिमी, 1200 एनएम सिलिकॉन-ऑन-नीलम / सिलिकॉन कार्बाइड (प्रति माह 4 हजार प्लेट) के व्यास के साथ प्लेटों पर 600 एनएम के मानदंडों के साथ उत्पादन।

स्टेपर - तोप FPA-2000 i1 (तरंग दैर्ध्य 365nm, NA = 0.52, संकल्प ~ 0.5um)।

अन्य घरेलू कारखानों की तरह, नागरिक उत्पादों का निर्यात किया जाता है (एलईडी ड्राइवर, सेल फोन के लिए पावर प्रबंधन चिप्स आदि)।

Angstrom टी

Angstrom-T पहले से ही बहुत सारे नाटक उत्पन्न करने में कामयाब रहा है - इसलिए, हम इस पर अधिक विस्तार से ध्यान केंद्रित करते हैं। परियोजना एक अधूरा संयंत्र के निर्माण पर आधारित है, जो सोवियत काल से बनी हुई है। इस मामले को ध्वनिबद्ध तरीके से बनाया गया था, और यह 130nm प्रौद्योगिकी की आधुनिक आवश्यकताओं को पूरा करता था।

उपकरण AMD ड्रेस्डेन प्लांट (130nm, 9 लेयर्स में कॉपर मेटलाइजेशन, 14,000 प्लेट प्रति माह) से खरीदा गया था, और भोज को लगभग पूरी तरह से VEB क्रेडिट लाइन से 815 मिलियन यूरो की सीमा के साथ वित्तपोषित किया गया था, जो सिद्धांत रूप में एक अनूठा मामला है - माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक कारखानों के लिए शायद ही कभी वित्तपोषित किया जाता है। क्रेडिट स्कोर आधे से अधिक। आप 2010 निर्माण स्थल पर एक लेख भी पढ़ सकते हैं - habrahabr.ru/post/80142

2008 में, AMD ने उपकरण के लिए ~ 182.5 मिलियन यूरो का भुगतान किया, ~ 120 मिलियन यूरो - एक प्रौद्योगिकी लाइसेंस, ~ 10 मिलियन यूरो - प्लांट डिजाइन के स्टेज ए के लिए मीस्नर एंड वुर्स्ट को। हालांकि, उपकरण का मालिक एंगस्ट्रॉम-टी नहीं था, लेकिन साइप्रट अपतटीय कंपनी रोनिका थी। उपकरण को रूस में भी नहीं ले जाया गया था, लेकिन नीदरलैंड और ड्रेसडेन के गोदामों में छोड़ दिया गया था, इसलिए वैट का भुगतान यूरोप या रूस में भी नहीं किया जाना था। आप उस क्षण शूट किए गए वीडियो को देख सकते हैं - tv.cnews.ru/?video_id=410

फिर अचानक वित्तपोषण बंद हो गया (पार्टियों की गवाही अलग-अलग है - छत के फेल्ट संकट हैं, ऋण पर छत भुगतान अतिदेय हैं), उपकरण विदेश में बने रहे (अब विशेष गोदामों और बीमा में भंडारण के लिए भुगतान करना भी आवश्यक है)। वास्तव में - एएमडी का भुगतान करने के लिए खर्च की गई न्यूनतम संभव राशि खर्च की गई थी - और परियोजना वहीं रुक गई। वैसे, जैसा कि हम याद करते हैं, एएमडी ने उस समय अपने माइक्रोइलेक्ट्रोनिक उत्पादन को एक अलग कंपनी में बदल दिया (मार्च 2009 में समाप्त हो गया), और कंपनी ने अपने पुराने उपकरणों को बहुत अच्छी कीमत पर सफलतापूर्वक बाहर धकेल दिया।

वित्तपोषण की समाप्ति के बाद, परियोजना पर कोई भी प्रगति नहीं हुई, केवल माउस उपद्रव (जो किसको, कहां, किसने, किसका, मालिकों और प्रबंधकों का परिवर्तन) और एक क्रेडिट लाइन पर ब्याज का संचय। 2012 में, फंडिंग फिर से शुरू की गई (हालांकि, पहले फंडिंग फिर से शुरू करने की खबरें थीं), और अक्टूबर 2012 के अंत में, एंगस्ट्रॉम-टी को लियोनिद रीमन द्वारा "आधिकारिक तौर पर" खरीदा गया था। उसी समय, आईबीएम ने 90nm तकनीक को लाइसेंस दिया है, जिसे अतिरिक्त उपकरणों की खरीद की आवश्यकता होगी। निर्माण फिर से शुरू कर दिया गया है, और उत्पादन अब 2014 की शुरुआत में शुरू होने वाला है। बेशक, अगली तकनीक के लिए संक्रमण यह संभव है कि अतिरिक्त 5 वर्षों के लिए क्षतिपूर्ति करना संभव है कि उपकरण गोदाम में रखे।

यह ध्यान देने योग्य है कि 65nm तक इस तरह "अपग्रेड" करना संभव नहीं है - 65nm आमतौर पर आर्थिक कारणों के लिए 300 मिमी प्लेट की आवश्यकता होती है।

पैसे की गणना (बहुत लगभग)
चलो "उंगलियों पर" मोटे तौर पर गणना करें कि परियोजना का वित्तीय भविष्य सबसे आशावादी तरीके से कैसे दिख सकता है:

संयंत्र के निर्माण और प्रक्षेपण के लिए प्रारंभिक क्रेडिट लाइन ~ 815 मिलियन यूरो है। 2008 से पहले से ही चल रहे ब्याज के बारे में भूल जाओ।

मान लीजिए कि आईबीएम इतना लालची नहीं है, और 90nm लाइसेंस वाले अतिरिक्त उपकरण की कीमत केवल $ 100mln होगी (तुलना के लिए, साइट्रोकॉन ने प्रेस के अनुसार, 90nm लाइसेंस के लिए EUR 27 मिलियन का भुगतान किया)।
फिर वापसी की राशि ~ 815 * 1.29 + 100 = $ 1,151 मिलियन है, दर 8.5% है

प्रारंभिक व्यावसायिक योजना के अनुसार - एक प्लेट के उत्पादन के लिए सामग्री, बिजली, पानी और गैसों की लागत, मुखौटे की लागत (वे ग्राहक द्वारा भुगतान की जाती हैं) की लागत $ 408.75 हैं। ये हमारी सशर्त रूप से परिवर्तनीय लागत प्रति प्लेट हैं, हम केवल उन्हें सहन करते हैं यदि हमारे पास उत्पादन होता है।

परंपरागत रूप से कम वेतन के साथ श्रम की वार्षिक लागत:
1098 (राज्य का आकार) * 12 * 30,000 = 395.2 मिलियन रूबल प्रति वर्ष।
हम मानते हैं कि हमें कुछ और भुगतान करने की आवश्यकता नहीं है (उदाहरण के लिए, कर)। ये 395.2 मिलियन रूबल के सशर्त रूप से निर्धारित खर्च हैं, हम उन्हें इस बात की परवाह किए बिना कि प्लांट का कितना उत्पादन है।

विश्व बाजार में 200 मिमी के व्यास के साथ समाप्त प्लेटों की औसत लागत का ग्राफ:


मुझे लगता है कि यह विचार करना उचित होगा कि 2014 में समाप्त प्लेट 200 मिमी 90nm की औसत लागत 2009 में 200 मिमी 130nm के समान है। वैसे, प्लेटों की 350-150nm की एक ही कीमत पर ध्यान दें - यह इस तथ्य के कारण है कि सभी बाजार सहभागियों ने लंबे समय तक उपकरण और निर्माण के लिए ऋण का भुगतान किया, और हर कोई लगभग लागत पर काम करता है (और श्रम और सामग्री उसी के बारे में लागत)।

फिर, वर्ष के लिए, संयंत्र, सबसे बुनियादी खर्च घटा, प्राप्त होगा:
14000 * 12 * 1001 (अधिकतम भार पर राजस्व) -395.2 मिलियन रूबल / 31 (निश्चित लागत) -14000 * 12 * 408.75 (प्रति प्लेट निश्चित लागत) ~ $ 86.75 मिलियन
और केवल 8.5% की दर पर ऋण पर ब्याज 1151 * 0.085 ~ 97.8 मिलियन की राशि होगी
इस प्रकार, ग्रीनहाउस स्थितियों में भी, और 100% लोड - संयंत्र भी ब्याज का भुगतान करने में सक्षम नहीं होगा।

जब 50% ऋण लिखना बंद हो जाता है - एक ही ग्रीनहाउस शर्तों के तहत एक ऋण 13 वर्षों में निपटाया जा सकता है, लेकिन वास्तव में - पर्याप्त जटिलताएं होंगी (उदाहरण के लिए, समय के साथ प्लेटों की लागत में और कमी, पौधे का अधूरा लोड होना, आदि)

इस तरह की संभावनाओं के साथ परियोजना को शुरू में धन कैसे प्राप्त हुआ? व्यापार योजना $ 2000-2500 + कुछ प्रशासनिक संसाधन (चूंकि यह परियोजना अभी भी रूसी इलेक्ट्रॉनिक उद्योग के विकास के लिए महत्वपूर्ण थी) के क्रम की प्लेटों की लागत के एक आशावादी आकलन पर आधारित थी।

इस प्रकार, एक ऋण, राष्ट्रीयकरण, यूरोज़ोन के विनाश के बिना, किसी भी रूप में बड़े पैमाने पर बहु-वर्षीय सब्सिडी (ताइवान और दक्षिण कोरिया में एक वर्ष में $ 100 मिलियन के स्तर पर) या परमाणु युद्ध नहीं होगा, संयंत्र काम नहीं कर पाएगा। लेकिन निश्चित रूप से रीमन हमसे ज्यादा जानते हैं, एक बार आधिकारिक रूप से इस मामले में शामिल हो गए - यह 2014-2015 तक इंतजार करना और देखना होगा कि क्या होता है।

अन्य

इसके अलावा, एक माइक्रोन की तुलना में उत्पादन में मोटे के साथ छोटे उद्यम होते हैं: एक्सिटॉन , एनपीओ आईटी (अंतरिक्ष के लिए), वोसखोड-केआरएलजेड , फोटोमेस का उत्पादन - टीएसकेपी पीकेआईएफ और अन्य।

संबंधित उद्योग समाचार में पकड़े गए

प्लास्टिक का तर्क

कंपनी "प्लास्टिक" ट्रांजिस्टर के आधार पर निर्मित ई-इंक डिस्प्ले में लगी हुई थी। फायदे में से उनके लचीलेपन और निर्माण की संभावित आसानी है, लेकिन प्लास्टिक ट्रांजिस्टर के विद्युत पैरामीटर सिलिकॉन लोगों की तुलना में बदतर परिमाण के आदेश हैं (इसलिए, "पुरानी" सिलिकॉन इलेक्ट्रॉनिक्स की कोई क्रांति और हत्या की उम्मीद नहीं है)।

2010 के अंत में, रुस्नानो ने प्लास्टिक लॉजिक में निवेश किया, जो ज़ेलेनोग्राड में स्क्रीन पढ़ने के उत्पादन के लिए एक कारखाने के निर्माण के अधीन था।

11 अक्टूबर, 2011 इंटरफैक्स: RUSNANO ने प्लास्टिक लॉजिक में अपनी हिस्सेदारी 33.8% से 43.8% तक बढ़ा दी
[...] प्लास्टिक लॉजिक का मूल्यांकन नहीं बदला है, निवेशित धन पूरी तरह से रूस में एक संयंत्र के निर्माण के लिए जाएगा, RUSNANI ने बताया।

ज़ेलेनोग्राड में गैर-सिलिकॉन डिस्प्ले के उत्पादन के लिए एक संयंत्र का निर्माण इस साल दिसंबर में शुरू होने वाला है। कंपनी प्रति माह लगभग 100 हजार डिस्प्ले का उत्पादन करेगी। [...]

2012 की शुरुआत में, कंपनी ने अचानक फैसला किया कि वह क्षण खो गया था और संयंत्र बनाने के लिए अब लाभदायक नहीं था । कंपनी अब केवल तकनीक के विकास और लाइसेंसिंग से निपटेगी (हालांकि, अगर बाजार में कूड़े की जरूरत है तो इस लाइसेंस की जरूरत है)।

महाकाव्य असफल।

क्रोकस नैनो इलेक्ट्रॉनिक्स

17 मई, 2011 रुस्नो प्रेस सेंटर: रुसानो और क्रोकस टेक्नोलॉजी ने एमआरएएम उत्पादन स्थापित किया - 90 और 65 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर दुनिया में पहला
RUSNANO और Crocus Technology, magnetoresistive memory के एक प्रमुख डेवलपर, ने आज रूस में अगली पीढ़ी की MRAM मेमोरी प्रोडक्शन स्थापित करने के लिए एक निवेश समझौते के समापन की घोषणा की। कुल लेनदेन की मात्रा $ 300 मिलियन है। समझौते के तहत, RUSNANO और Crocus क्रोकस नैनो इलेक्ट्रॉनिक्स (CNE) बनाते हैं, जो रूस में मध्यम और उच्च घनत्व वाले MRAM मेमोरी प्लांट का निर्माण करेगा जिसमें थर्मली असिस्टेड टेक्नोलॉजी (रूस) का उपयोग कर 90 और 65 एनएम के डिजाइन मानक होंगे। स्विचिंग - TAS) क्रोकस द्वारा विकसित।

हालांकि, यह एक पूर्ण 65nm उत्पादन नहीं है ($ 300 mln एक पूर्ण 65nm उत्पादन के लिए एक पैसा है) - वे तैयार सीएमओएस प्लेटें (ट्रांजिस्टर और धातुकरण के साथ) लेंगे, और मैग्नेटोरेसिस्टिव मेमोरी के लिए एक परत लागू करेंगे। हम 2013 का इंतजार करेंगे और देखेंगे कि क्या होता है।

जीएस नैनोटेक

09/25/2012 RIA नोवोस्ती: माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक के घटकों के उत्पादन के लिए केंद्र कलिनिनग्राद के पास गिरावट में काम करेगा
रूस में बड़े पैमाने पर 45 नैनोमीटर या उससे कम की टोपोलॉजी के साथ माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक घटकों के उत्पादन के लिए उद्यम, कलिनिनग्राद क्षेत्र में स्थित जीएस नैनोटेक केंद्र, देर से शरद ऋतु में चालू हो जाएगा, केंद्र के उत्पादन निदेशक अलेक्सई यर्टसेव ने संवाददाताओं से कहा।

यदि आप उनकी साइट को देखते हैं, तो आप तुरंत देख सकते हैं कि कंपनी केवल प्लेट, पैकेजिंग और परीक्षण चिप्स काटने में लगी हुई है। यानी इनपुट पर - समाप्त प्लेट्स, आउटपुट पर - माइक्रोक्रिस्कट्स। यह निस्संदेह भी एक महत्वपूर्ण मामला है, लेकिन "45nm" - यहां, सामान्य रूप से, किसी भी तरह से उद्यम से संबंधित नहीं है।

MAPPER लिथोग्राफी

Rusnano ने मास्कलेस लिथोग्राफी तकनीक में € 40 मिलियन का निवेश किया । यह, मेरी राय में, रूसो का सबसे स्वादिष्ट निवेश है। मस्कलेस लिथोग्राफी माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक (अलविदा एफपीजीए) के छोटे पैमाने पर उत्पादन में एक भविष्य की क्रांति है, और यह सैन्य माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक के उत्पादन के लिए विशेष रूप से उपयोगी है: अब 10 माइक्रोकैक्रिबेट्स के उत्पादन के लिए आपको $ 150-500 हजार के लिए मास्क का एक सेट ऑर्डर करने की आवश्यकता नहीं है, या एक दर्जन "पड़ोसी" परियोजनाओं की प्रतीक्षा करें। एक मुखौटा और एक उत्पादन तकनीक पर मुद्रित।

MAPPER तकनीक का सार एक इलेक्ट्रॉन बीम द्वारा एक इलेक्ट्रॉन प्रतिरोध का प्रदर्शन है। यह पहले किया गया है, लेकिन अब - किरणें 1 नहीं, बल्कि 13'260 हैं। इस प्रकार, एक स्थापना प्रति घंटे 1 से 10 प्लेटों को प्रदर्शित करने में सक्षम होगी, जो कई छोटे पैमाने के उत्पादों के लिए पर्याप्त है।

माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक विकास

मैं सबसे दिलचस्प, मेरी राय में, घरेलू घटनाक्रम है कि गोपनीयता के घूंघट से कवर नहीं कर रहे हैं:

MCST

MTsST-R500S (500 मेगाहर्ट्ज स्पार्क 2 कोर)
एल्ब्रस-एस (500 मेगाहर्ट्ज, इसकी अपनी वास्तुकला)
MTsST-R1000 (1 गीगाहर्ट्ज स्पार्क, 4 कोर)
ELBRUS-2C + (500MHz 2 कोर एलब्रस, 4 कोर DSP)

एल्विस

1288XK1T (एमएफ -01) - 4-चैनल एसडीआर रिसीवर
1892VM5YA - 1.2GFLOP डीएसपी (32-बिट)
18921092 - ग्लोनास समर्थन के साथ 4 GFLOP DSP (32-बिट)

Milandr

1986BE92U / MDR32F9Q2I ARM Cortex-M3 128kb फ़्लैश / 32kb SRAM, 80Mhz
K1986BE21U / MDR32F2QI ARM Cortex-M0 128kb फ़्लैश / 16kb SRAM, 36MZz

एसटीसी मॉड्यूल

1879BM3 - 4 8-बिट DACs, 300 MHz, 2 6-बिट 600-MHz ADCs, 150 MHz प्रोसेसर कोर और बाहरी मेमोरी इंटरफ़ेस
NM6406 - 300MHz DSP (प्रति घड़ी 2 32-बिट मैक)

KM211

K5512BP1F (क्वार्क) - 150MHz 32-बिट RISC प्रोसेसर, एक माइक्रोन 180nm पर निर्मित

सारांश

हाल के वर्षों में, रूसी माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक जीवन में महत्वपूर्ण रूप से आया है - उत्पादन के मामले में दोनों (90 और मैक्रॉन पर 180 एनएम, इंटीग्रल पर 350 एनएम), और विकास।

अब यह पूरी तरह से किसी भी औद्योगिक, सैन्य और अंतरिक्ष उत्पादों को विकसित करने और उत्पादन करने के लिए पहले से ही संभव है - प्रोसेसर, माइक्रोकंट्रोलर, पावर इलेक्ट्रॉनिक्स, विकिरण-प्रतिरोधी माइक्रोक्रेसीप, रेडियो संचार, ग्लोनास और रडार के लिए माइक्रोकिरिस्क। लेकिन जैसा कि हम याद करते हैं, विकास एक महंगा आनंद है, इसलिए आप अभी सब कुछ करने में सक्षम नहीं होंगे।

माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक में कोई "अप्रचलित" उत्पादन नहीं है, किसी भी मानक के उत्पादों का अपना बाजार और कीमत है। यहां तक ​​कि सोवियत कारखाने अभी भी निर्यात के लिए काम करते हैं - बिजली बनाने वाले माइक्रोक्रिस्केट, असतत तत्व (पावर ट्रांजिस्टर और डायोड) और अन्य छोटी चीजें - और फिर हम उन्हें विदेशी ट्रेडमार्क के तहत मदरबोर्ड और सेल फोन में खरीदते हैं।