यूसीएलए एक नए प्रकार का मैग्नेटोरिस्टिव मेमोरी बनाता है

मैग्नेटोरेसिस्टिव मेमोरी (MRAM) नए प्रकार की मेमोरी के लिए अनुसंधान के सबसे गर्म क्षेत्रों में से एक है। भविष्य में, यह सभी प्रकार से सभी प्रकार की स्मृति को पार कर सकता है। MRAM सेल्स SRAM - प्रोसेसर कैश में इस्तेमाल की जाने वाली मेमोरी, सेल डेंसिटी में DRAM के साथ तुलनीय हैं। एमआरएएम गैर-वाष्पशील है और फ्लैश मेमोरी की तुलना में बहुत अधिक किफायती और अधिक टिकाऊ है।

एमआरएएम कोशिकाओं में जानकारी दो फेरोमैग्नेटिक परतों में एक पतली ढांकता हुआ परत द्वारा अलग की जाती है। परतों में से एक स्थायी चुंबक है, दूसरी परत के चुंबकीय क्षेत्र की दिशा बदल सकती है। चुंबकीय क्षेत्र को बदलने के लिए, सेल के माध्यम से एक धारा पारित की जाती है। सेल का विद्युत प्रतिरोध (सुरंग चुंबकत्व का प्रभाव) इन परतों में खेतों के पारस्परिक अभिविन्यास पर निर्भर करता है। इस प्रतिरोध को मापने के द्वारा, कोई कोशिका में संग्रहीत बिट्स पर विचार कर सकता है। आज, सबसे उन्नत रिकॉर्डिंग विधि स्पिन-ट्रांसफर टॉर्क इफेक्ट का उपयोग करती है - "ध्रुवीकृत" इलेक्ट्रॉनों, जो फेरोमैग्नेट की एक परत से गुजरते हैं, एक निश्चित दिशा में चुंबकीय क्षेत्र को घुमाने में मदद करते हैं, जिसके परिणामस्वरूप बहुत छोटे प्रवाह की आवश्यकता होती है, और कोशिकाएं छोटी हो सकती हैं। ।

लॉस एंजिल्स (यूसीएलए) के कैलिफोर्निया विश्वविद्यालय के शोधकर्ताओं ने विद्युत प्रवाह का उपयोग करने के बजाय विद्युत वोल्टेज को चालू करने का एक तरीका खोजा है , जिससे आप क्रमशः 10 से 1000 बार ऊर्जा की खपत में लाभ प्राप्त कर सकते हैं, क्रमशः रिकॉर्डिंग के दौरान कोशिकाओं के ताप को कम कर सकते हैं और उनके स्थान के घनत्व को बढ़ा सकते हैं। क्रिस्टल 5 बार। वे इस तरह की मेमोरी मेराम (मैग्नेटोइलेक्ट्रिक रैंडम एक्सेस मेमोरी) कहते हैं

स्पिन ट्रांसफर मेमोरी (STT-RAM) के लिए इस्तेमाल की जाने वाली मेमोरी के नए प्रकार की निर्माण तकनीक बहुत करीब है। चूंकि एसटीटी-रैम के पहले प्रायोगिक बैच पहले से ही उत्पादन में हैं, इसलिए संभव है कि हम बहुत जल्द मीराम का इंतजार करेंगे।

मैग्नेटोरेसिस्टिव मेमोरी का व्यापक उपयोग पूरी तरह से नई संभावनाओं को खोल सकता है। डायनामिक मेमोरी के विपरीत, यह गैर-वाष्पशील है और फ्लैश मेमोरी की तुलना में इसे लिखने के लिए बहुत कम बिजली की आवश्यकता होती है। इसके आधार पर, आप लगभग शून्य समय के साथ काम करने के लिए हमेशा तैयार होने वाले अल्ट्रा-मिनिएचर और लगभग कोई बिजली-खपत वाले उपकरण या साधारण कंप्यूटर नहीं बना सकते हैं।