चाइना इंस्टीट्यूट ऑफ माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक 22nm ट्रांजिस्टर बनाता है

चाइनीज एकेडमी ऑफ साइंसेज (IMECAS) के माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक संस्थान ने घोषणा की कि वे 22nm की गेट लंबाई के साथ एक ट्रांजिस्टर बनाने में सक्षम थे (तुलना के लिए, इंटेल प्रोसेसर में 22nm ट्रांजिस्टर की लंबाई 26nm की गेट लंबाई है)। ट्रांजिस्टर एक धातु गेट और एक उच्च k- गेट फाटक ढांकता हुआ (एक अति पतली फाटक फाटक ढांकता हुआ परत के माध्यम से इलेक्ट्रॉनों सुरंग द्वारा रिसाव को कम करने के लिए आवश्यक) का उपयोग करें।

ट्रांजिस्टर इंटेल की शैली में "3-वे गेट" का उपयोग नहीं करते हैं, लेकिन अधिक पारंपरिक प्लानर गेट-अंतिम ट्रांजिस्टर (जब गेट अंतिम बनता है)।

पीआरसी ने 2009 में मुख्य राष्ट्रीय परियोजनाओं में से एक के रूप में इन अध्ययनों की शुरुआत की। IMECAS के अनुसार, चीन में एकीकृत सर्किट के 22nm प्रौद्योगिकी के विकास से वर्तमान में आयातित प्रौद्योगिकियों (या अधिक अनुकूल कीमतों के लिए सौदेबाजी) पर बहुत अधिक धन की बचत होगी।

कीमतों के क्रम को समझने के लिए - Angstrom-T 130nm प्रौद्योगिकी लागत ~ 120 मिलियन यूरो (2007), 90nm माइक्रोन - लगभग 27 मिलियन यूरो (2011, रिपोर्ट के अनुसार)। महीन दरों पर, लागत तेजी से बढ़ जाती है। शायद भविष्य में, प्रौद्योगिकी चीन से खरीदना होगा।


अलग सिलिकॉन परमाणु (छवि के निचले हिस्से में) स्पष्ट रूप से दिखाई देते हैं। IL सिलिकॉन और उच्च-के HfO ₂ ढांकता हुआ के बीच एक SiO ₂ इंटरफ़ेस परत है (यह सीधे सीधे पालन नहीं करता है)।


सिलिकॉन में 45 डिग्री के कोण पर हल्की रेखाएं ट्रांजिस्टर चैनल में सिलिकॉन का एक वोल्टेज बनाने के लिए क्रिस्टल जाली में कृत्रिम रूप से निर्मित दोष है (इसकी गति बढ़ाने के लिए आवश्यक है)।