नए के बारे में संक्षेप में: सैमसंग ने 10-एनएम प्रक्रिया प्रौद्योगिकी पर आधारित 128 जीबीपीएस की क्षमता के साथ 3-बिट एमएलसी नंद मेमोरी का उत्पादन शुरू किया

सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने इस साल अप्रैल में 10-नैनोमीटर प्रक्रिया का उपयोग करते हुए 128 जीबी की क्षमता वाले 3-बिट एमएलसी नंद मेमोरी चिप्स के बड़े पैमाने पर उत्पादन की शुरुआत की घोषणा की। उच्च विकसित चिप एम्बेडेड नंद भंडारण और एसएसडी ठोस राज्य ड्राइव जैसे समाधानों में उच्च घनत्व स्मृति के कुशल एकीकरण को सक्षम करेगा। नया 128 जीबी नंद फ्लैश मेमोरी उच्च स्तर के प्रदर्शन का दावा करता है - डेटा ट्रांसफर दर 400 एमबी / एस है, साथ ही टॉगल डीडीआर 2.0 इंटरफ़ेस के लिए समर्थन भी है।



नए विकास के लिए धन्यवाद, सैमसंग ने 128 जीबी तक ब्रांडेड मेमोरी कार्ड की आपूर्ति का विस्तार करने की योजना बनाई है। इसके अलावा, कंपनी 500 जीबी से अधिक की क्षमता के साथ ठोस-राज्य ड्राइव का उत्पादन बढ़ाने का इरादा रखती है, जो कंप्यूटर सिस्टम में ठोस-राज्य ड्राइव को व्यापक रूप से अपनाने की प्रक्रिया को तेज करना चाहिए, और नोटबुक बाजार में सैमसंग को हार्ड ड्राइव से ठोस-राज्य ड्राइव पर स्विच करने की प्रक्रिया में नेतृत्व करने की अनुमति भी देता है।

128 जीबी की क्षमता के साथ उच्च प्रदर्शन 3-बिट एमएलसी नंद फ्लैश मेमोरी की मांग, साथ ही साथ एसएसडी-ड्राइव के लिए 250 जीबी से अधिक की क्षमता लगातार बढ़ रही है। विशेष रूप से, सैमसंग एसएसडी 840 श्रृंखला पिछले छह महीनों में बहुत लोकप्रिय हो गई है।

सैमसंग ने पिछले साल नवंबर में 64 जीबीपीएस 10-एनएम वर्ग पर एमएलसी नंद फ्लैश मेमोरी का उत्पादन शुरू किया। पांच महीने बाद, कंपनी ऑफ-द-शेल्फ 128 जीबी चिप्स प्रदान करती है, जो इसकी उच्च-घनत्व मेमोरी लाइन का विस्तार करती है। 2010 में पेश किए गए 20-एनएम एमएलएन नंद 64 जीबी चिप्स की तुलना में नवीनता उत्पादकता में दो गुना से अधिक की वृद्धि करेगी।