फुजित्सु रेराम: एक योग्य फ्लैश प्रतियोगी

Fujitsu ने अपने नए विकास के बारे में जानकारी प्रकाशित की है: कम बिजली की खपत और उच्च डेटा ट्रांसफर गति के साथ यादृच्छिक अभिगम रेराम (प्रतिरोधक रैम) के साथ गैर-वाष्पशील मेमोरी।

महत्वपूर्ण सफलताएं फुजित्सु लैब्स के इंजीनियरों द्वारा निकेल ऑक्साइड में टाइटेनियम को जोड़कर रेराम की संरचना को बदलकर और 100 एमएए के संचालन को मिटाने के लिए आवश्यक ट्रांजिस्टर में करंट को कम करके हासिल की गई। इसने इस ऑपरेशन का समय घटाकर 5 ns कर दिया। इस प्रकार, Fujitsu द्वारा बनाई गई रेराम मेमोरी टाइटेनियम के उपयोग के बिना बनाए गए मौजूदा रेराम नमूनों की तुलना में 10 हजार गुना तेज हो गई।

इन सुधारों के साथ, और निर्माण प्रक्रिया की कम लागत के कारण, रेराम अच्छी तरह से फ्लैश मेमोरी के साथ प्रतिस्पर्धा कर सकता है। Fujitsu ने 2010 में प्रतिरोधक मेमोरी का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करने की योजना बनाई है।

gizmodo के माध्यम से