सैमसंग ने 3 डी-मेमोरी पेश की, क्रॉसबार ने आरआरएएम में एक सफलता की घोषणा की

सोमवार को, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स के प्रतिनिधियों ने त्रि-आयामी ऊर्ध्वाधर नंद चिप्स के उत्पादन की शुरुआत की घोषणा की। नए प्रकार की फ्लैश मेमोरी चिप्स में, सिलिकॉन परतों की संरचना के कारण, दो आयामी चिप्स की तुलना में बेहतर विशेषताओं को प्राप्त किया जाता है; कोरियाई कंपनी के बयान के अनुसार, विश्वसनीयता 2-10 गुना बढ़ जाएगी, और रिकॉर्डिंग प्रक्रिया का प्रदर्शन दोगुना हो जाएगा। इस प्रकार, सैमसंग 3 डी नंद-मेमोरी चिप्स के बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करने वाली दुनिया की पहली कंपनी बन गई।

नई तकनीक का उपयोग विभिन्न प्रकार के कार्यों में किया जाएगा, जिसमें 128 गीगाबाइट से 1 टेराबाइट तक की क्षमता वाले ठोस-राज्य ड्राइव का निर्माण शामिल है। नए microcircuits की अनुदैर्ध्य रिकॉर्डिंग घनत्व 128 बिट्स है, और वे एक चार्ज जाल (3 डी चार्ज ट्रैप फ्लैश) के साथ वॉल्यूमेट्रिक मेमोरी तकनीक के आधार पर बनाए गए हैं। सामान्य चार्ज ट्रैप फ्लैश को पहली बार 2006 में सैमसंग द्वारा वापस लाया गया था।

माइक्रोक्रिस्केट की ऊर्ध्वाधर परतों की संख्या 24 तक पहुंचती है, लेकिन उनकी मोटाई नैनोमीटर में मापी जाती है, इसलिए एक माइक्रोमीटर पैमाने पर भी, मोटा होना ध्यान देने योग्य नहीं होगा। विशेषज्ञ ध्यान दें कि परतों की संख्या की सीमा अभी भी अज्ञात है: आज यह 24 है, अगली पीढ़ी में 32 होगी, और फिर यह संख्या बढ़ जाएगी।

थोक परतों में जाने के कारण काफी स्पष्ट हैं: हाल ही में, फ्लैट स्केलिंग अधिक से अधिक जटिल हो गई है। NAND फ्लैट चिप्स की प्रक्रिया प्रौद्योगिकी में कमी के साथ, इलेक्ट्रॉन लीक की संख्या बढ़ जाती है, जो डेटा त्रुटियों को बनाता है जिसे केवल नए जटिल त्रुटि सुधार कोड जोड़कर ठीक किया जा सकता है।

वॉल्यूम चिप्स 40 और 50 नैनोमीटर की पुरानी प्रक्रिया तकनीक का उपयोग करते हैं। (तुलना के लिए: आज एनएएनडी-मेमोरी 20 एनएम के क्रम की एक तकनीकी प्रक्रिया का उपयोग करती है।) यह परतों के बीच इन्सुलेटर की न्यूनतम मोटाई के कारण है, जो प्रदर्शन और विश्वसनीयता को भी प्रभावित करता है। और प्रस्तुत 3 डी चिप्स का प्रदर्शन अभी भी फ्लैट 10-नैनोमीटर नंद-मेमोरी की तुलना में अधिक है।

थोक चिप्स के विकास में सैमसंग को लगभग 10 साल लग गए, कंपनी ने दुनिया भर में 300 से अधिक पेटेंट आवेदन किए। कंपनी के प्रतिनिधियों को यकीन है कि नई तकनीक नंद-मेमोरी के टेराबिट चिप्स के लिए मार्ग प्रशस्त करती है।

वर्तमान में, ग्राफीन-आधारित माइक्रोक्रिस्केट्स, चरण-परिवर्तन मेमोरी, रेसट्रैक मेमोरी और प्रतिरोधक रैम को नंद फ्लैश मेमोरी के प्रतिस्थापन के रूप में माना जा रहा है। अंतिम प्रकार के मेमोरी वादे अमेरिकी स्टार्टअप क्रॉसबार द्वारा प्रस्तुत किए जाने का वादा किया गया है, कंपनी के अनुसार, उनके आरआरएएम चिप्स एनएएनडी मेमोरी पर लिखित गति में 20 गुना बेहतर प्राप्त करेंगे, और बिजली की खपत सामान्य फ्लैश मेमोरी अनुरोधों का केवल एक हिस्सा होगी।



सिलिकॉन वैली के केंद्र से एक कंपनी - सांता क्लारा के शहर - ने कहा कि वे एक व्यावहारिक "सरल और स्केलेबल" तीन-परत संरचना को प्राप्त करने में कामयाब रहे, ताकि एक चिप पर 3 डी प्रौद्योगिकियों का उपयोग करके एक डाक टिकट (200 मिमी²) के आकार को 1 टेराबाइट तक फिट करना संभव होगा। जानकारी।

नंद फ्लैश की आज की सीमाओं पर वादा किया श्रेष्ठता महान है: बिजली की खपत में 20 गुना की कमी, लेखन की गति में 20 गुना वृद्धि, चिप के आकार को कम करते हुए स्थायित्व में 10 गुना वृद्धि। क्रॉसबार मेमोरी चिप्स का चिप-आधारित सिस्टम में सबसे आसान एकीकरण होगा।



निवेशकों ने होनहार स्टार्टअप को नजरअंदाज नहीं किया: क्रॉसबार को क्लिनर पर्किन्स काफिल्ड एंड बायर्स, आर्टिमन वेंचर्स और नॉर्दर्न लाइट वेंचर कैपिटल से 25 मिलियन डॉलर मिले। तथ्य यह है कि कंपनी पहले से ही अपने सहयोगियों में से एक की उत्पादन सुविधाओं में एक कार्यशील प्रोटोटाइप बनाने में कामयाब रही है। कंपनी के प्रमुख के कम से कम तीन पेटेंट को देखते हुए, क्रॉसबार के इरादे गंभीर हैं।

फ्लैश मेमोरी की तरह, आरआरएएम गैर-वाष्पशील है, अर्थात इस पर जानकारी रीसेट नहीं होगी, भले ही कोई शक्ति न हो। कंपनी के पूर्वानुमानों के अनुसार, लिखने की गति 140 एमबी / एस होगी, पढ़ने की गति - 17 एमबी / एस 30 नैनोसेकंड की यादृच्छिक पढ़ने की देरी के साथ। चिप्स की तीन परतें (नीचे से ऊपर की ओर) नीचे एक गैर-धातु इलेक्ट्रोड, अनाकार सिलिकॉन और एक धातु इलेक्ट्रोड की एक परत होती है।