संक्षेप में नए के बारे में: सैमसंग ने उद्योग के पहले 3 डी वर्टिकल नंद फ्लैश मेमोरी को ऊर्ध्वाधर लेआउट के साथ बड़े पैमाने पर उत्पादित किया

गुड फ्राइडे, हेबर!

पिछले हफ्ते, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 3 डी वर्टिकल नंद (वी-नंद) वॉल्यूमेट्रिक लेआउट के साथ फ्लैश मेमोरी के धारावाहिक उत्पादन की शुरुआत की घोषणा की, जो नंद फ्लैश को कम करने के लिए एक सफलता बनाने और अवसर प्रदान करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। नए 3 डी वी-नंद फ्लैश मेमोरी का उपयोग उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स और उद्यम समाधानों की एक विस्तृत श्रृंखला में किया जाएगा, जिसमें एम्बेडेड नंद और एसएसडी ड्राइव शामिल हैं।



पिछले चालीस वर्षों में, फ्लैश मेमोरी फ्लोटिंग गेट्स का उपयोग करके फ्लैट संरचनाओं पर आधारित है। जब विनिर्माण प्रक्रिया प्रौद्योगिकियां 10nm या उससे कम तक पहुंच गईं, तो आगे चिप में कमी के विकल्प को प्रश्न में बुलाया गया। इसका कारण मेमोरी कोशिकाओं का पारस्परिक प्रभाव था, जिसका नंद फ्लैश मेमोरी की विश्वसनीयता पर बेहद नकारात्मक प्रभाव पड़ा, साथ ही चिप उत्पादन के बढ़े हुए समय और वित्तीय लागतों पर भी।

नए सैमसंग वी-नंद चिप्स उपरोक्त तकनीकी समस्याओं को जंजीरों, संरचना और उत्पादन प्रक्रिया में एक नया स्तर प्राप्त करके हल करते हैं। सैमसंग वी-एनएएनडी प्रति चिप 128 गीगाबिट्स का घनत्व प्रदान करता है, जो नए 3 डी चार्ज ट्रैप फ्लैश (सीटीएफ) आर्किटेक्चर और ऊर्ध्वाधर कनेक्शन तकनीक पर आधारित एक मालिकाना सेल संरचना का उपयोग करके कोशिकाओं को एक थोक सरणी से जोड़ता है।



विश्वसनीयता के एक नए स्तर को प्राप्त करने के लिए, सैमसंग ने अपने CTF आर्किटेक्चर को अपडेट किया है, पहली बार 2006 में वापस विकसित हुआ। नए नंद फ्लैश आर्किटेक्चर में, एक विद्युत चार्ज को अस्थायी रूप से फ्लैश मेमोरी की एक गैर-प्रवाहकीय परत की "प्रतीक्षा सेल" में रखा जाता है, जिसमें पारंपरिक रूप से इस्तेमाल किए जाने वाले फ्लोटिंग गेट के बजाय सिलिकॉन नाइट्राइड (SiN) होते हैं, जो पड़ोसी कोशिकाओं के संचालन के दौरान हस्तक्षेप को रोकते हैं।

नए वी-नंद चिप्स न केवल बढ़ी हुई विश्वसनीयता संकेतक (दो बार, कम से कम दस गुना - अधिकतम) प्रदर्शित करते हैं, बल्कि अस्थायी गेट्स के आधार पर पारंपरिक 10-एनएम वर्ग फ्लैश मेमोरी की तुलना में दोगुनी तेजी से लेखन गति भी दिखाते हैं। ।

इसके अलावा, नए सैमसंग वी-एनएएनडी मेमोरी की सबसे महत्वपूर्ण तकनीकी उपलब्धियों में से एक तथ्य यह है कि यह ऊर्ध्वाधर डेटा विनिमय प्रक्रिया विशेष नक़्क़ाशी तकनीक के उपयोग के कारण एकल क्रिस्टल में 24 से अधिक सेल परतों के गठन की अनुमति देती है, जो परतों को इलेक्ट्रॉनिक रूप से जोड़ती है, छिद्रण उच्चतम से सबसे निचली परत तक छेद।



नंद फ्लैश मेमोरी के ऊर्ध्वाधर लेआउट में लगभग दस वर्षों के कठिन शोध के बाद, सैमसंग के पास वर्तमान में दुनिया भर में 300 से अधिक पेटेंट 3 डी सराउंड मेमोरी तकनीक है।

शोध कंपनी IHS iSuppli के अनुसार, 2016 के अंत तक, वैश्विक नंद फ्लैश बाजार लगभग 30.8 बिलियन डॉलर के लाभ स्तर तक पहुंच जाएगा, जो मौजूदा वर्ष (लगभग 23.6 बिलियन डॉलर) की तुलना में औसत वार्षिक वृद्धि का 11% होना चाहिए।