नए के बारे में संक्षेप में: सैमसंग ने फ्लैश मेमोरी 3 डी वी-नंद पर आधारित एसएसडी-ड्राइव की घोषणा की

शुभ दोपहर, हब्र!

ऊर्ध्वाधर आर्किटेक्चर के साथ नए सैमसंग 3 डी वर्टिकल नंद फ्लैश मेमोरी की घोषणा के बाद एक सप्ताह भी नहीं बीता था, क्योंकि कंपनी ने एक ही वॉल्यूमिनस नंद चिप्स के आधार पर बनाया गया एंटरप्राइज स्टोरेज सिस्टम के लिए पहला सॉलिड-स्टेट ड्राइव पेश किया था। यह फ्लैश मेमोरी समिट 2013 सम्मेलन में हुआ।



नवीनता में SATA III 6 Gb / s इंटरफ़ेस है और यह सर्वर और डेटा केंद्रों में उपयोग के लिए है। पूर्ण सीमा में 480 और 960 जीबी की क्षमता वाले ठोस राज्य ड्राइव के दो संस्करण हैं। पुराने मॉडल 128 Gb की क्षमता वाले MLC 3D V-NAND मेमोरी सेल्स की 64 लेयर का उपयोग करते हैं।

घोषित एसएसडी अपने पूर्ववर्तियों की तुलना में 40% कम बिजली की खपत करते हैं। इसके अलावा, सैमसंग इंजीनियरों ने सूचना की क्रमिक और मनमानी रिकॉर्डिंग की गति को 20% तक बढ़ाने में कामयाबी हासिल की। दावा किया गया ड्राइव जीवन 35,000 पुन: लिखने वाला चक्र है, जो उपभोक्ता एसएसडी में उपयोग किए जाने वाले 19-एनएम एमएलसी नंद फ्लैश मेमोरी के प्रदर्शन से 3-6 गुना अधिक है। नवीनता 2.5-इंच फॉर्म फैक्टर में बनाई गई है, इसका आयाम 100 x 70 x 7 मिमी है।