आईबीएम एक नए प्रकार के एकीकृत सर्किट पर स्विच करने की योजना बना रहा है

जॉन केसी, आईबीएम सेंटर फॉर सेमीकंडक्टर रिसर्च एंड डेवलपमेंट

दूसरे दिन सेंटर फॉर सेमीकंडक्टर रिसर्च एंड डेवलपमेंट आईबीएम के एक कर्मचारी जॉन केसी ने एक बहुत ही दिलचस्प साक्षात्कार दिया। इसमें केसी ने कहा कि आईबीएम CMOS तकनीक और वॉन न्यूमैन आर्किटेक्चर के लिए योग्य विकल्पों की तलाश में है, क्योंकि मूर के कानून का प्रभाव धीमा हो रहा है और कुछ नया करने की आवश्यकता है।

जॉन केसी खुद बाहर से एक व्यक्ति नहीं हैं, उनके पास एकीकृत सर्किट प्रौद्योगिकी के क्षेत्र में बहुत उच्च योग्यता है। केसी ने कुछ बहुत ही दिलचस्प परियोजनाओं में भाग लिया, जिसमें एक नवीनतम परियोजना भी शामिल है: मूर के नियम से परे प्रौद्योगिकी की संभावना का अध्ययन। यह वह विषय था जो संगोष्ठी में जॉन केसी का मुख्य भाषण बन गया, जो कैलिफोर्निया (यूएसए) में अंतर्राष्ट्रीय सेमीकंडक्टर उपकरण और सामग्री एसोसिएशन एसईएमआई की उद्योग रणनीति के लिए समर्पित था।

प्रस्तुति से पहले, लेखक ने अपनी रिपोर्ट के मुख्य बिंदुओं को प्रस्तुत करते हुए ईई टाइम्स को एक साक्षात्कार दिया। केसी ने बर्नी मेयर्सन के विचारों के लिए समर्थन व्यक्त किया, जिन्होंने हाल ही में ईई टाइम्स को एक साक्षात्कार दिया। "अब मूर के कानून की आसन्न मृत्यु के बारे में बहुत सारे लेख लिखे गए हैं, और यहां तक ​​कि विशिष्ट तिथियों का भी उल्लेख किया गया है। यही कारण है कि नए प्रकार की वास्तुकला की ओर एक बदलाव है, जिसे सूचना-केंद्रित कहा जा सकता है, क्योंकि ऐसे सिस्टम में डेटा सरणियां बस विशाल हैं, ”केसी कहते हैं।

अन्य चीजों के बीच, अब चिप्स और उपकरणों के उत्पादन के दृष्टिकोण में बदलाव आया है।



सच है, 450-मिमी सिलिकॉन वेफर्स और कठिन पराबैंगनी लिथोग्राफी (ईयूवी) के लिए संक्रमण बहुत जल्द नहीं होगा, क्योंकि एक अन्य कारक यहां एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है - आर्थिक व्यवहार्यता। प्रारंभ में, उच्च प्रदर्शन को प्राप्त करने के लिए, एकीकृत सर्किट स्तर पर वॉल्यूमेट्रिक या तथाकथित विषम लघुकरण के लिए एक संक्रमण बनाया जाएगा, साथ ही आगे लघुकरण से आर्थिक दक्षता भी प्राप्त की जाएगी।


जॉन केसी का मानना ​​है कि इस मामले में सबसे अच्छा समाधानों में से एक 3 डी एकीकरण है, जो इनपुट / आउटपुट गति के बहुत उच्च मूल्य प्रदान करता है। तो, केसी के अनुसार, यह दो सक्रिय चिप्स के पारंपरिक 3 डी स्टैक का उपयोग करने के लायक है। इस तरह के समाधान को पेश करने का पहला लाभ एक उच्च घनत्व है। दूसरा लाभ पहुंच की गति में वृद्धि और आई / ओ गति को अनुकूलित करने की क्षमता है।

बदले में, इन मापदंडों को सामग्री में सुधार करके, उनके लेआउट और कनेक्शन क्रम (जोड़ों की लंबाई को कम करने के लिए) में सुधार किया जा सकता है। और 3 डी इसके लिए एक शानदार अवसर है।

एक अन्य विकल्प भी है - यह 2.5 डी एकीकरण है, इस विकल्प पर अब कंपनी के विशेषज्ञों द्वारा विचार और चर्चा की जा रही है। 2.5D एकीकरण को सिलिकॉन, कार्बनिक यौगिक या कांच के आधार पर लागू किया जा सकता है। और अब इन सभी विशेषताओं को सक्रिय रूप से परीक्षण किया जा रहा है, भारी भार और बड़ी मात्रा में डेटा के तहत परीक्षण किया गया है।

2.5D समाधान का लाभ यह हो सकता है कि यह विधि आपको विभिन्न निर्माण प्रौद्योगिकियों के साथ चिप्स को संयोजित करने, उच्च प्रदर्शन के साथ एक मॉड्यूल प्राप्त करने और बहुत उच्च अंतिम मूल्य नहीं देता है। संयोजन में तीन चिप्स के उपयोग का उल्लेख किया गया है, पहले 45-एनएम सिलिकॉन-ऑन-इन्सुलेटर नियंत्रण चिप के साथ एक सीएमओएस प्रोसेसर क्रिस्टल और दो 130-एनएम सीजीई ट्रांजिस्टर ट्रांसीवर जो एक सिलिकॉन इंटरपॉसर पर एक सब्सट्रेट पर घुड़सवार हैं।

नतीजतन, हमें एक उत्पादक और कार्यात्मक मिश्रित-सिग्नल ट्रांसीवर मिलता है, जहां चिप्स के बीच डेटा ट्रांसफर दर 2 Tbit / s है। और यह एक बहुत ही महत्वपूर्ण उपलब्धि है, जो इस सवाल का जवाब हो सकता है कि "मूर के नियमों की गति धीमी होने की स्थिति में गति कैसे सुनिश्चित करें।"