नए के बारे में संक्षेप में: सैमसंग ने 4 जीबीपीएस डीडीआर 3 मोबाइल मेमोरी चिप्स का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू किया

शुभ दोपहर, हब्र!

कल, सैमसंग ने 20-नैनोमीटर 4 जीबी डीडीआर 3 मेमोरी चिप्स के बड़े पैमाने पर उत्पादन की शुरुआत की घोषणा की। इस DRAM- मेमोरी की रिलीज़, जिनमें से प्रत्येक सेल में एक कनेक्टेड ट्रांजिस्टर और कैपेसिटर होता है, एक ट्रांजिस्टर के साथ NAND- टाइप फ्लैश मेमोरी के उत्पादन की तुलना में बहुत अधिक जटिल है, इसलिए परंपरागत रूप से DRAM- चिप्स के वॉल्यूम फ्लैश-मेमोरी चिप्स के संस्करणों के लिए विशेष रूप से अवर हैं।



इस मुश्किल काम से निपटने के लिए, सैमसंग विशेषज्ञों ने परमाणु परत बयान प्रौद्योगिकी के साथ एक दोहरे पैटर्न संशोधित एक्सपोज़र तकनीक को संयोजित किया है। यह न केवल मौजूदा विसर्जन ArF लिथोग्राफी (हार्ड अल्ट्रावॉयलेट रेंज में काम कर रहे आर्गन फ्लोराइड एक्सिमर लेजर का उपयोग करके लिथोग्राफी) का उपयोग करके 20-एनएम प्रक्रिया प्रौद्योगिकी का उपयोग करके DDR3 मेमोरी चिप्स का उत्पादन करने के लिए कंपनी को अनुमति देता है, लेकिन यह कक्षा 10 प्रक्रिया प्रौद्योगिकी का उपयोग करके DRAM की अगली पीढ़ी का उत्पादन करना भी संभव बना देगा। निकट भविष्य में एन.एम.



इसके अलावा, सैमसंग ने कैपेसिटर की अल्ट्रा-पतली ढांकता हुआ परतों के आवेदन में अभूतपूर्व एकरूपता हासिल की है, जिससे मेमोरी दक्षता में और सुधार हुआ है। इसी समय, कंपनी उत्पादन क्षमता बढ़ाने में कामयाब रही: नए चिप्स के लिए यह 25-एनएम प्रक्रिया प्रौद्योगिकी में डीडीआर 3 की तुलना में 30% अधिक है, और 30-एनएम प्रक्रिया प्रौद्योगिकी में डीडीआर 3 से दोगुना है। चिप्स की ऊर्जा दक्षता संकेतक 25-एनएम प्रक्रिया प्रौद्योगिकी द्वारा निर्मित मोबाइल मेमोरी की विशेषताओं से 25% आगे हैं। यह उपलब्धि वैश्विक कंपनियों के लिए नवीनतम हरित आईटी समाधान के विकास का आधार बनेगी।



गार्टनर के शोध के अनुसार, वैश्विक मोबाइल मेमोरी बाजार 2013 में 35.6 बिलियन अमेरिकी डॉलर से बढ़कर 2014 में 37.9 बिलियन अमेरिकी डॉलर हो जाएगा।