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昨日、サムスンは20ナノメートル4 Gb DDR3メモリチップの量産開始を発表しました。 各トランジスタが接続されたトランジスタとコンデンサで構成されているこのDRAMメモリのリリースは、単一トランジスタのNAND型フラッシュメモリの製造よりもはるかに複雑です。したがって、伝統的にDRAMチップの量はフラッシュメモリチップの量よりも著しく劣っています。
この困難なタスクに対処するために、サムスンの専門家は、デュアルパターン修正露光技術と原子層堆積技術を組み合わせました。 これにより、既存の浸漬ArFリソグラフィ（ハード紫外域で動作するフッ化アルゴンエキシマレーザーを使用したリソグラフィ）を使用した20 nmプロセステクノロジを使用してDDR3メモリチップを製造できるだけでなく、クラス10プロセステクノロジを使用して次世代DRAMを製造することも可能になります近い将来にnm。
さらに、サムスンは、コンデンサの極薄誘電体層の適用において前例のない均一性を達成し、メモリ効率をさらに改善しました。 同時に、同社は生産効率の向上に成功しました。新しいチップでは、25nmプロセステクノロジーのDDR3よりも30％高く、30nmプロセステクノロジーのDDR3の2倍です。 チップのエネルギー効率指標は、25 nmプロセス技術で製造されたモバイルメモリの特性よりも25％進んでいます。 この成果は、グローバル企業向けの最新のグリーンITソリューションの開発の基礎となります。
Gartnerの調査によると、世界のモバイルメモリ市場は、2013年の356億米ドルから2014年には379億米ドルに増加します。