Samsung SSD 860 QVO 1 TBおよび4 TB：最初のコンシューマーSATA QLC（2部）

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ランダム読み取り

最初のランダム読み取りパフォーマンステストでは、キューなしで一度に1つずつ実行される非常に短い操作のバッチを使用します。 ドライブにはパッケージ間のアイドル時間があり、稼働時間は20％であるため、温度調節はできません。 各パッケージは、16 GBのディスク範囲から4 KBの32 MBのランダム読み取りで構成されます。 読み取られるデータの合計量は1 GBです。



Samsung 860 QVOのランダム読み取りパフォーマンスは3D TLCのパフォーマンスよりも明らかに低く、Intel / Micron QLC NVMeドライブは従来のSATA TLCとシームレスに競合します。 しかし、最悪の場合でも、1 TBのQVOがいっぱいになると、読み取り速度はハードドライブの読み取り速度よりもはるかに速くなります。

2番目のランダム読み取りパフォーマンステストは次のとおりです。1〜32のキュー深度がテストされ、QD1、QD2、およびQD4による平均パフォーマンスとエネルギー効率がメインインジケーターとして使用されます。 各キュー項目数は、1分または32 GBの送信データのいずれか少ない方でチェックされます。 各キューをチェックした後、ドライブは冷却するために1分間与えられるため、熱の蓄積がキューの大きな深さに影響を与えることはほとんどありません。 個別の読み取り操作は4 KBのままで、64 GBのディスクを使用します。



より長いテストでは、東芝TR200 DRAMレスTLCドライブは860 QVOより先に進むことができず、Intel / Micron QLCドライブでさえほとんどのメインストリームSATA SSDの後ろにあります（特にフルの場合）。





ランダムリードテスト中の860 QVOの消費電力は、TLCに基づいた関連製品の消費電力よりもわずかに高いだけですが、これはパフォーマンスインジケータを最後まで表示するのに十分です。


ランダム読み取り中にQVO 860キューの深さをスケーリングすることは非常に一般的で、QD16の後はゲインが減少します。 しかし、グラフの主なものはドライブ間の違いです。QVOは、TLCベースの最高のSATA SSDのパフォーマンスの半分にも達しません。



1VB 860 QVOのランダム読み取りの結果をテストデータベース内の他のすべてのSATAディスクと比較すると、エネルギー効率やピークパフォーマンスの点でQVOが最も進んでいないことが明らかになりますが、それよりもはるかに悪いディスクがあります。

カスタムレコード

最初のランダム書き込みパフォーマンステストは、最初のランダム読み取りテストと同様に構成されていますが、各パケットは4 MBのみで、テストの合計長は128 MBです。 4 KBのランダム書き込み操作にはディスクごとに16 GBが割り当てられ、操作はキューなしで一度に1つずつ実行されます。



860 QVOのSLCキャッ​​シュは、ランダム書き込みテストに非常に効率的であり、860 EVOをわずかに上回ることもできます。



連続ランダム読み取りテストと同様に、2回目のランダム書き込みテストは、4 KBのブロックで実行され、キュー深度ごとに1分または32 GB、ディスクの64 GBにまたがり、キャッシュのクリアと冷却を確実にするためにディスクをキュー深度間で最大1分間停止しますドライブ。

長いランダム書き込みテストでは、より大きなSLCキャッ​​シュと4TB 860 QVOの並列性がトップSATAドライブに追いつくのに役立ちますが、残念ながら1 TB QVOはDRAMのないTLCよりもわずかに高速です。





ここでも、QVOはほとんどのTLCドライブよりも少し電力を要求します。 これは、優れたパフォーマンスのため、少なくとも4 TBのQVOに当てはまりますが、1 TBのQVOは最終的にIntel / Micron QLCドライブと最後の場所を共有します。


1TB 860 QVOは、キュー深度が増加するにつれてランダム書き込みパフォーマンスがわずかに向上することを示していますが、消費電力はQD1からQD2に大幅に増加します。 4TB 860 QVOは、4D 860 EVOとほぼ完全に一致するパフォーマンス曲線を備えた、QD4の飽和に対するはるかに典型的なスケーリングを示しています。



同じ電力を消費するSATA TLC SSDがありますが、ランダム書き込みパフォーマンスは1TB 860 QVOの半分しかありません。 しかし、一般的なスキームでは、このテストでの1 TB QVOの結果は魅力的ではありません。 4 TBは同じ場所から始まりますが、電力を消費しすぎることなく、最終的にSATAパフォーマンスのピークに達します。

順次読み取りパフォーマンス

最初のシーケンシャル読み取りパフォーマンステストでは、128 MBがキューなしで128 KBの短い操作で書き込まれます。 このテストでは、8回の実行でパフォーマンスが平均化され、16 GBのデータを含むディスクから合計1 GBのデータが転送されます。 操作の各バッチの間に、ドライブには20％の全体的なデューティサイクルを維持するのに十分なダウンタイムが与えられます。



Samsung 860 QVOのシーケンシャルリードパフォーマンスは、通常のSATA TLC SSDに匹敵し、DRAMレスToshiba TR200を大幅に上回ります。 1 TB QVO 860のパフォーマンスは、テストのタイミングが原因で、ドライブがいっぱいではない場合、わずかに低下します。読み取りテストの開始時に、ドライブはまだバックグラウンドでSLCキャッ​​シュをフラッシュしました。

次のテスト-連続シーケンシャル読み取り-1〜32のキュー深度を使用し、パフォーマンスと消費の数値をQD1、QD2、およびQD4の平均として計算します。 各キュー項目数は1分以内、または64 GBのデータを含むディスクから32 GBを読み取る前にチェックされます。 このテストは2回実行されます。1回はテストデータの順次記録によって準備されたドライブから、もう1回はランダム書き込みテストによってすべてが混ざり合い、OSからは見えないSSD内でフラグメンテーションが発生します。 これらの推定値は、ドライブの実際の使用方法の2つの極端な例を示しています。ウェアレベリングと既存データの変更により、パフォーマンスを低下させる内部断片化が発生しますが、ここに示す範囲ではありません。



時間のかかる860順次読み取りテストでは、フラッシュメモリから直接データを読み取る場合、QVOはSATAの速度制限に近くなります。 しかし、ディスクへのランダムな書き込みによって内部断片化が発生した場合、QVOの読み取り速度はTLCディスクの速度よりも大幅に低下し、QVO 860の1 TBは機械的なハードディスクよりもさらに遅くなりました。





860 QVOのエネルギー効率は、連続データを読み取るときのTLCドライブのエネルギー効率よりわずかに低いだけです。 断片化されたデータを使用する場合、QVOはIntel / Micron NVMe QLCドライブよりも若干効率的ですが、少し遅くなります。


QVO 860のキュー深度のスケーリングは非常に一般的です。QD1はSATAチャネルを完全に飽和させるわけではありませんが、より高いキュー深度はほぼ最高速度に達します。 唯一の例外は、QD32の最終フェーズ中に転送速度が1 TBだけわずかに低下することです。



QD32でのパフォーマンスのわずかな低下に加えて、860 QVOの連続読み取りは、TLCドライブで予想される通常の範囲を超えません。

順次書き込みパフォーマンス

短い順次書き込みテストは、データ転送の方向を除いて、読み取りテストと同じ構造です。 操作の各バッチは、QD1で実行される128 MB、128 KBの操作を書き込み、合計1 GBのデータが16 GBのデータを含むディスクに書き込まれます。



ドライブがほとんど空で、SLCキャッ​​シュに十分なスペースがある場合、Samsung 860 QVOは連続書き込みテストの優れた仕事をします。 ドライブがいっぱいになると、1 TBモデルの速度はわずかに低下しますが、DRAMのない機械的なハードドライブまたはTLCドライブの速度よりもはるかに高速です。

長い順次書き込みテストは、データ転送方向を除き、2番目の読み取りテストと同じです。 キューの深さは1から32まで変化し、キューの各深さは1分または32 GBを記録する前にチェックされます。その後、ディスクが冷却され、ガベージが収集されるまで1分間のダウンタイムがあります。 テストは、64 GBのディスク容量によって制限されます。



長時間の順次書き込みテストでは、ディスクがほとんど空で最後の場所にある場合でも、SLC 1TB 860 QVOキャッシュはもはや十分ではありません。 4TB SLCキャッ​​シュはこのテストに耐え、SATAドライブと同じくらい高速です。





860 QVOは860 EVOよりやや食いしん坊です。したがって、このグループでは4TB QVOの効率が3位に過ぎません。 1 TB QVOの効率は、高速ですが、より多くのエネルギーを消費するIntelおよびMicronの1 TB QLC NVMeドライブに似ています。


1TB 860 QVOは、キュー深度が増加するにつれてランダム書き込みパフォーマンスがわずかに向上することを示していますが、消費電力はQD1からQD2に大幅に増加します。 4TB 860 QVOは、4D 860 EVOとほぼ完全に一致するパフォーマンス曲線を備えた、QD4の飽和に対するはるかに典型的なスケーリングを示しています。



同じ電力を消費するSATA TLC SSDがありますが、ランダム書き込みパフォーマンスは1TB 860 QVOの半分しかありません。 しかし、一般的なスキームでは、このテストでの1 TB QVOの結果は魅力的ではありません。 4 TBは同じ場所から始まりますが、電力を消費しすぎることなく、最終的にSATAパフォーマンスのピークに達します。

順次読み取りパフォーマンス

最初のシーケンシャル読み取りパフォーマンステストでは、128 MBがキューなしで128 KBの短い操作で書き込まれます。 このテストでは、8回の実行でパフォーマンスが平均化され、16 GBのデータを含むディスクから合計1 GBのデータが転送されます。 操作の各バッチの間に、ドライブには20％の全体的なデューティサイクルを維持するのに十分なダウンタイムが与えられます。



Samsung 860 QVOのシーケンシャルリードパフォーマンスは、通常のSATA TLC SSDに匹敵し、DRAMレスToshiba TR200を大幅に上回ります。 1 TB QVO 860のパフォーマンスは、テストのタイミングが原因で、ドライブがいっぱいではない場合、わずかに低下します。読み取りテストの開始時に、ドライブはまだバックグラウンドでSLCキャッ​​シュをフラッシュしました。

次のテスト-連続シーケンシャル読み取り-1〜32のキュー深度を使用し、パフォーマンスと消費の数値をQD1、QD2、およびQD4の平均として計算します。 各キュー項目数は1分以内、または64 GBのデータを含むディスクから32 GBを読み取る前にチェックされます。 このテストは2回実行されます。1回はテストデータの順次記録によって準備されたドライブから、もう1回はランダム書き込みテストによってすべてが混ざり合い、OSからは見えないSSD内でフラグメンテーションが発生します。 これらの推定値は、ドライブの実際の使用方法の2つの極端な例を示しています。ウェアレベリングと既存データの変更により、パフォーマンスを低下させる内部断片化が発生しますが、ここに示す範囲ではありません。



時間のかかる860順次読み取りテストでは、フラッシュメモリから直接データを読み取る場合、QVOはSATAの速度制限に近くなります。 しかし、ディスクへのランダムな書き込みによって内部断片化が発生した場合、QVOの読み取り速度はTLCディスクの速度よりも大幅に低下し、QVO 860の1 TBは機械的なハードディスクよりもさらに遅くなりました。





860 QVOのエネルギー効率は、連続データを読み取るときのTLCドライブのエネルギー効率よりわずかに低いだけです。 断片化されたデータを使用する場合、QVOはIntel / Micron NVMe QLCドライブよりも若干効率的ですが、少し遅くなります。


順次書き込みテスト中、1TB 860 QVOは低速で安定していますが、4TBモデルのパフォーマンスは他のSATAドライブと同じです。



1TB 860 QVOへのシーケンシャル書き込みは明らかに通常より遅くなりますが、これは前例のないことではありません。同じ低速TLCドライブがありましたが、それらのほとんどは1 TB未満のボリュームでした。 4TBモデルは全体像が良く見えます。

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