IntelはMRAMメモリの生産を開始する準備ができています

したがって、DRAMとNANDの両方の後継と呼ばれ、昨年末にサムスンとIntelによって実証された根本的に新しいタイプのコンピューターメモリは、実際の製品の形を取り始めます。 少なくとも、この方向にもう1つのステップがとられました。Intelによると、近い将来、産業規模でMRAM （磁気ランダムアクセスメモリ）の生産を開始する準備ができています。

デバイスとMRAMメモリの動作原理については詳しく説明しません。上記のリンクで多くの詳細情報を見つけることができます。 その主な特徴のみに注目します。 そのため、インテルは、フィンの22nmテクノロジーを使用して作成された垂直7メガバイトSTT-MRAM（スピントルク転送MRAM）アレイを構築するために、「書き込みチェック書き込み」スキームと2段階電流測定テクノロジーを使用します。


MRAMセルレイアウト

不揮発性メモリであるMRAMアレイは、200°Cの温度で最大10年間データの安全性を提供し、最大10 ⁶書き込みサイクルと最大10 ¹²読み取りサイクルに耐えます。 高い信頼性に加えて、MRAMは驚くほど良好なレベルの製品歩留まり（わずか0.1％の不良品）を示します。これは間違いなくコストに影響します。

プレートに他の特性を与えます：

テクノロジー	22FFL FinFET
セルタイプ	1T1MTJ
セルサイズ	0.0486 µm 2
ボリューム	7 Mb
密度（ESAを含む）	10.6 Mb / mm 2
読書時間	0.9 Vで4 ns、0.6 Vで8 ns
録音時間	エンドビットは10μs
オーバーフロー保護	はい

MRAM技術は、メモリ要素の小型化の限界に到達するのに役立ちます。 さらに、MRAMはさまざまな条件で動作できるため、モノのインターネットのさまざまなデバイスに最適です。 Intelが現在取り組んでいる別の種類のメモリである抵抗性RAM （ReRAM）は、そのようなデバイスの安価な揮発性メモリとして使用できます。 ここで、 Optane Memoryを思い出すことができます-この方向での作業も本格的です。 それはあなたが得る種の数です 彼らが言うように、より多くのメモリ、良いと異なる。